ソニー: 世界初.2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発

投稿時間：2021-12-17 18:22

SONY

世界初、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発

～従来比約2倍の飽和信号量によるダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現～

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は、

世界初となる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功。

従来同一基板上で形成していたフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層することで、

従来比約2倍の飽和信号量を確保し、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現し撮像特性を大幅に向上。

この技術が採用する画素構造は、従来の画素サイズに加えて、

今後の更なる微細画素においても、画素特性の維持・向上を可能に。

2021年12月11日（土）から開催されているIEDM（国際電子デバイス会議）において発表。

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